Nd: YVO4 kristāls
Nd: YVO4 (Neodīma-leģēts itrija Vanadate) ir viens no labākajiem komerciāli pieejamajiem materiāliem diožu sūknētiem cietvielu lāzeriem, īpaši lāzeriem ar mazu vai vidēju jaudas blīvumu. Piemēram, Nd: YVO4 ir labāka izvēle nekā Nd: YAG mazjaudas staru ģenerēšanai rokas rādītājos vai citos kompaktajos lāzeros. Šajās lietojumprogrammās Nd: YOV4 ir dažas priekšrocības salīdzinājumā ar Nd: YAG, piemēram, augsta sūknēta lāzera apstarojuma absorbcija un liels stimulētas emisijas šķērsgriezums.
Nd: YVO4 ir laba izvēle ļoti polarizētai izejai pie 1342 nm, jo emisijas līnija ir daudz spēcīgāka nekā tās alternatīvas. Nd: YVO4 spēj strādāt ar dažiem nelineāriem kristāliem ar augstu NLO koeficientu (LBO, BBO, KTP), lai radītu gaismas no tuvās infrasarkanās līdz zaļai, zilai vai pat UV.
Sazinieties ar mums, lai atrastu labāko risinājumu Nd: YVO piemērošanai4 kristāli.
WISOPTISKĀS iespējas - Nd: YVO4
• Dažādas Nd-dopinga attiecības iespējas (0,1% ~ 3,0at%)
• Dažādi izmēri (maksimālais diametrs: 16 × 16 mm2; maksimālais garums: 20 mm)
• Dažādi pārklājumi (AR, HR, HT)
• augsta apstrādes precizitāte
• Ļoti konkurētspējīga cena, ātra piegāde
WISOPTIC standarta specifikācijas* - Nd: YVO4
| Dopinga attiecība | Nd% = 0,2% ~ 3,0at% |
| Orientēšanās tolerance | +/- 0,5 ° |
| Apertūra | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Garums | 0,02 mm ~ 20 mm |
| Izmēru pielaide | (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,5 / -0,1 mm) (L≥ 2,5 mm) (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,2 / -0,1 mm) (L <2,5 mm) |
| Plakanība | <λ / 8 @ 632,8 nm (L≥2,5 mm) <λ / 4 @ 632,8 nm (L <2,5 mm) |
| Virsmas kvalitāte | <20/10 [S / D] |
| Paralēlisms | <20 ” |
| Perpendikulāri | ≤ 5 ' |
| Čaumeris | ≤ 0,2 mm @ 45 ° |
| Pārraidīts viļņu frontes kropļojums | <λ / 4 632,8 nm |
| Skaidra diafragma | > 90% centrālais laukums |
| Pārklājums | AR = 1064nm, R <0,1% un HT @ 808nm, T> 95%; HR = 1064nm, R> 99,8% un HT @ 808nm, T> 95%; HR @ 1064nm, R> 99,8%, HR @ 532 nm, R> 99% un HT @ 808 nm, T> 95% |
| Lāzera bojājuma slieksnis | > 700 MW / cm2 1064nm, 10ns, 10Hz (ar AR pārklājumu) |
| * Produkti ar īpašu prasību pēc pieprasījuma. | |
Nd priekšrocības: YVO4 (salīdzinot ar Nd: YAG)
• Platāks sūknēšanas joslas platums ap 808 nm (5 reizes lielāks nekā Nd: YAG)
• Lielāks stimulētās emisijas šķērsgriezums pie 1064nm (3 reizes lielāks par Nd: YAG)
• Zemāks lāzera bojājumu slieksnis un augstāka slīpuma efektivitāte
• Atšķiras no Nd: YAG, Nd: YVO4 ir vienaldzīgs kristāls, kas rada lineāri polarizētu emisiju, izvairoties no liekiem termiski izraisītiem birefence.
Nd lāzera īpašības: YVO4 pret Nd: YAG
|
Kristāls |
Dopinga （atm%） |
σ |
α (cm-1) |
τ (μs) |
Lα (mm) |
Lppth (mW) |
ηs (%) |
|
Nd: YVO4 |
1.0 |
25 |
31.2 |
90 |
0,32 |
30 |
52. lpp |
|
2.0 |
25 |
72.4 |
50 |
0,14 |
78. lpp |
48.6 |
|
|
Nd: YVO4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
- |
231 |
45.5 |
|
Nd: YAG |
0,85 |
6 |
7.1 |
230 |
1.41 |
115 |
38.6 |
| σ - stimulētas emisijas šķērsgriezums, α - absorbcijas koeficients, τ - fluorescējošs kalpošanas laiks Lα - absorbcijas garums, Pth - sliekšņa jauda, ηs - sūkņa kvantu efektivitāte |
|||||||
Fizikālās īpašības - Nd: YVO4
| Atomu blīvums | 1,26x1020 atomi / cm2 (Nd% = 1,0%) |
| Kristāla struktūra | Cirkona tetragonāls, kosmosa grupa D4h-I4 / amd a = b = 7,1193 Å, c = 6,2892 Å |
| Blīvums | 4,22 g / cm2 |
| Mosa cietība | 4,6 ~ 5 (stikla veida) |
| Termiskās izplešanās koeficients (300K) | αa= 4,43x10-6/ K, αc= 11,37x10-6/ K |
| Siltumvadītspējas koeficients (300K) | || c: 5,23 W / (m · K); ⊥c: 5,10 W / (m · K) |
| Kušanas punkts | 1820 ℃ |
Optiskās īpašības - Nd: YVO4
| Līzinga viļņa garums | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Refrakcijas indeksi | pozitīvs vienbalsis, no= na= nb ne= nc no= 1,9573, ne= 2,1652 @ 1064 nm no= 1,9721, ne= 2,1858 @ 808 nm no= 2,0210, ne= 2,2560 @ 532 nm |
| Termiskais optiskais koeficients (300K) | dno/dT=8.5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Stimulēts izmešu šķērsgriezums | 25,0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Dienasgaismas kalpošanas laiks | 90 μs (1,0%% Nd leģēts) @ 808 nm |
| Absorbcijas koeficients | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Absorbcijas garums | 0,32 mm @ 808 nm |
| Patiesais zaudējums | 0,02 cm-1 @ 1064 nm |
| Palieliniet joslas platumu | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polarizēta lāzera emisija | paralēla optiskajai asij (c ass) |
| Diode tiek sūknēta no optiskās uz optisko efektivitāti | > 60% |
|
Polarizētā emisija |
Polarizēts |
